2O3包覆納米二氧化硅復(fù)合材料及制備方法和高頻抗干擾磁芯,復(fù)合材料"> 2O3包覆納米二氧化硅復(fù)合材料及制備方法和高頻抗干擾磁芯,本發(fā)明公開(kāi)了一種納米γ?Fe2O3包覆納米二氧化硅復(fù)合材料及制備方法和高頻抗干擾磁芯,該復(fù)合材料中納米二氧化硅為核,其直徑為30~60nm。γ?Fe2O3為殼,均勻包覆在納米二氧化硅表面,殼厚度為100~200nm,γ?Fe2O3晶粒尺寸為10nm左右。該復(fù)合材料制作的磁芯,在低頻上具有非常小的阻抗,在200MHz~2GHz頻率上具有大的阻抗,可以作為高頻抗干擾磁芯材料。">

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納米γ-Fe2O3包覆納米二氧化硅復(fù)合材料及制備方法和高頻抗干擾磁芯

1019   編輯:管理員   來(lái)源:中冶有色技術(shù)網(wǎng)  
2023-03-18 16:05:02
本發(fā)明公開(kāi)了一種納米γ?Fe2O3包覆納米二氧化硅復(fù)合材料及制備方法和高頻抗干擾磁芯,該復(fù)合材料中納米二氧化硅為核,其直徑為30~60nm。γ?Fe2O3為殼,均勻包覆在納米二氧化硅表面,殼厚度為100~200nm,γ?Fe2O3晶粒尺寸為10nm左右。該復(fù)合材料制作的磁芯,在低頻上具有非常小的阻抗,在200MHz~2GHz頻率上具有大的阻抗,可以作為高頻抗干擾磁芯材料。
聲明:
“納米γ-Fe2O3包覆納米二氧化硅復(fù)合材料及制備方法和高頻抗干擾磁芯” 該技術(shù)專(zhuān)利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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