本發(fā)明提供了一種基于多線(xiàn)切割技術(shù)的1?3
復(fù)合材料制備方法,屬于電子元器件制造技術(shù)領(lǐng)域。該方法由傳統(tǒng)壓電陶瓷基體制備、上電極、多線(xiàn)切割以及后續(xù)的灌注、加工、印制電極等工藝過(guò)程組成。本方法發(fā)明的單、雙面多次切割工藝,充分發(fā)揮了多線(xiàn)切割小應(yīng)力、接近常溫切割的特點(diǎn),實(shí)現(xiàn)對(duì)極化后的壓電陶瓷進(jìn)行高精度切割,制備的復(fù)合材料無(wú)明顯退極化,能夠充分發(fā)揮基體材料性能,避免了傳統(tǒng)工藝灌注后極化困難的不利影響。與傳統(tǒng)工藝相比,適合批量式生產(chǎn),具有明顯的技術(shù)優(yōu)勢(shì)。
聲明:
“基于多線(xiàn)切割技術(shù)的1-3復(fù)合材料制備方法” 該技術(shù)專(zhuān)利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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