本發(fā)明涉及一種高導(dǎo)熱金剛石改性碳化硅陶瓷基復(fù)合材料的定向?qū)嵬ǖ罉?gòu)筑方法，步驟為多孔預(yù)制體制備、漿料配制、激光打孔、漿料浸漬、樹脂固化裂解和液硅滲透。本發(fā)明所提供的技術(shù)方案能制備出力學(xué)性能和熱導(dǎo)率良好的SiC?CMC。而且，采用激光打孔的方法引入三維的熱導(dǎo)通路，體現(xiàn)了本方法的微結(jié)構(gòu)和材料性能的可設(shè)計(jì)性，為發(fā)展高熱導(dǎo)SiC?CMC的制備提供了一定的思路和工藝方法。采用這種方法制備的碳化硅陶瓷基復(fù)合材料厚度方向的導(dǎo)熱率預(yù)計(jì)能在原有基礎(chǔ)上提高10～20倍，表現(xiàn)出良好的熱傳遞效率，能有效的進(jìn)行熱量傳輸，防止由熱量集中導(dǎo)致材料的損傷和失效。