本發(fā)明屬于材料化學(xué)技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種低介電常數(shù)中空氧化鋁/二氧化硅納米復(fù)合材料，并進(jìn)一步公開其制備方法及應(yīng)用。所述低介電常數(shù)中空氧化鋁/二氧化硅納米復(fù)合材料為具有閉合空腔結(jié)構(gòu)的疊層殼體結(jié)構(gòu)，通過在中空二氧化硅殼層外表面定向沉積氧化鋁，其內(nèi)層殼體為二氧化硅層，并在二氧化硅層表面沉淀生長(zhǎng)氧化鋁外殼殼體，有效結(jié)合了氧化鋁與二氧化硅的優(yōu)點(diǎn)，可同時(shí)發(fā)揮中空二氧化硅的低介電常數(shù)、低折射率、高頻介電穩(wěn)定性的優(yōu)點(diǎn)，同時(shí)利用氧化鋁材料高強(qiáng)度、抗化學(xué)侵蝕、熱導(dǎo)率小、熱膨脹系數(shù)低等優(yōu)勢(shì)，可適用于減反射領(lǐng)域及5G毫米波頻段領(lǐng)域的性能要求。