本發(fā)明是涉及一種非真空坩堝下降法生長氯化 鑭晶體的方法。其特征在于使用高純含結(jié)晶水的 LaCl3原料,并在保持流動的惰 性氣氛中和不低于150℃的溫度下保溫10-20小時,獲得無水 氯化鑭原料脫水。同時選擇具有強(qiáng)還原作用的活性碳粉、硅粉、 氟化鉛或四氯化碳中一種作為脫氧劑。脫氧劑的加入既克服了 含水氯化鑭原料在高溫脫水過程中所產(chǎn)生的氯氧化鑭雜質(zhì)。采 用靜止的雙溫區(qū)爐體結(jié)構(gòu),以微型電機(jī)驅(qū)動變速裝置使坩堝以 可調(diào)節(jié)的恒定速率下降。該技術(shù)在使用過程中具有操作簡便、 成本低、性能好和適合大批量生產(chǎn)等特點(diǎn)。本發(fā)明所生長的鈰 摻雜氯化鑭(Ce∶LaCl3)晶體適 用于核醫(yī)學(xué)成像SPECT(單光子正電子發(fā)射斷層掃描成像)、核 輻射探測、安全檢查地質(zhì)勘探等應(yīng)用領(lǐng)域。
聲明:
“非真空坩堝下降法生長氯化鑭晶體的方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)