本發(fā)明提供了一種金屬陽離子摻雜多硫化鈷/氫氧化鈷
復合材料及其制備方法;本發(fā)明采用溶劑熱法,首先將金屬陽離子摻雜到原位生長在泡沫鎳上的鈷前驅體中,該前驅體為具有分級多孔結構的二維納米片陣列;之后通過液相硫化法制備得到自支撐的M@CoS
x/Co(OH)
2納米片材料;該制備方法工藝簡單、耗時短、成本低廉,制得的材料具有分級、介孔結構和較大的比表面積,提供更多的活性位點;同時有利于縮短離子的傳輸路徑,減小電極與電解液間的界面阻力,特別是得益于金屬陽離子的摻雜,有效調節(jié)其電子結構,優(yōu)化材料的本征電導率,比電容量高達3500~4000F g
?1,是一種新型高性能的超級電容器電極材料。
聲明:
“金屬陽離子摻雜多硫化鈷/氫氧化鈷復合材料及其制備方法與應用” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)