本發(fā)明涉及一種通過脈沖電沉積在二氧化鈦管列陣上負載鎳納米顆粒，制備納米鎳/二 氧化鈦納米管列陣復合材料的方法，首先以金屬鈦為基底，利用陽極氧化法制備高度有序的 納米二氧化鈦管列陣，經(jīng)焙燒后改善二氧化鈦半導體的性質(zhì)，提高表面電子傳輸能力，再通 過脈沖電沉積法實現(xiàn)鎳納米顆粒均勻地負載TiO2納米管列陣之上，粒徑可控，顆粒均勻， 負載量可控。本發(fā)明方法制備的Ni/TiO2納米管列陣復合材料不僅可應用到超級電容器中， 而且還可應用到光催化產(chǎn)氫、催化劑以及磁性材料等方面。