本發(fā)明涉及一種用于C/ZrC?SiC復(fù)合材料的陶瓷防護層及其制備方法。所述陶瓷防護層包括在C/ZrC?SiC復(fù)合材料上依次形成的(TiZrHfTa)C_x?SiC過渡層、(TiZrHfTa)C_x抗氧化涂層和SiC封孔層。所述方法為：通過PIP工藝制備(TiZrHfTa)C_x?SiC過渡層；通過刷涂工藝在所述過渡層的基礎(chǔ)上制備(TiZrHfTa)C_x抗氧化涂層；通過化學(xué)氣相沉積工藝在所述抗氧化涂層的基礎(chǔ)上制備SiC封孔層，得到陶瓷防護層。本發(fā)明制備的陶瓷防護層能夠在2500℃以上溫度具有優(yōu)異的抗氧化性能，還與基體具有很高的結(jié)合力，在新型高超聲速飛行器的端頭、發(fā)動機等結(jié)構(gòu)件上具有廣闊的應(yīng)用前景。