本發(fā)明公開(kāi)了一種在柔性碳基底生長(zhǎng)垂直二硫化鎢的方法、二硫化鎢?碳復(fù)合材料及應(yīng)用。所述方法包括：在碳納米管薄膜上生長(zhǎng)形成碳鍍層，得到碳鍍層/碳納米管復(fù)合薄膜；在其表面生長(zhǎng)三氧化鎢，得到三氧化鎢/碳鍍層/碳納米管復(fù)合薄膜；再進(jìn)行硫化處理，使形成的二硫化鎢納米片垂直生長(zhǎng)于碳鍍層/碳納米管復(fù)合薄膜上，制得二硫化鎢?碳復(fù)合材料。本發(fā)明通過(guò)化學(xué)氣相沉積方法，在易于滑移變形的CNT薄膜表面沉積碳鍍層，可阻止CNTs的滑移，改善基底的穩(wěn)定性，進(jìn)而有效實(shí)現(xiàn)二硫化鎢納米片的垂直生長(zhǎng)，制備過(guò)程簡(jiǎn)單，易于控制；并且，制備得到的二硫化鎢納米片垂直率高，在很大程度上保證較多的活性邊緣暴露，在電化學(xué)領(lǐng)域應(yīng)用前景廣泛。