本發(fā)明一種核-殼結(jié)構(gòu)的聚合物基介電儲能復(fù)合薄膜材料及制備方法，該復(fù)合薄膜材料包括核-殼結(jié)構(gòu)納米填料、聚合物基體和結(jié)合層，核-殼結(jié)構(gòu)納米填料均勻分散在聚合物基體中；其中，所述聚合物基體的質(zhì)量百分比為50-90%，所述核-殼結(jié)構(gòu)納米填料的質(zhì)量比百分比為10-50%，所述結(jié)合層的質(zhì)量百分比為0-10%。該方法采用濕化學(xué)法制備核-殼結(jié)構(gòu)無機(jī)納米顆粒，通過流延法制備出復(fù)合薄膜，獲得的復(fù)合薄膜材料具有優(yōu)良介電性能、高擊穿場強(qiáng)和高儲能密度。通過調(diào)節(jié)核-殼結(jié)構(gòu)無機(jī)納米填料表面殼層的厚度，復(fù)合薄膜的介電常數(shù)可達(dá)到30左右，同時介電損耗保持在5％以下，擊穿場強(qiáng)可達(dá)350?kV/mm，儲能密度5~10?kJ/L。