本發(fā)明涉及
納米材料技術(shù)領(lǐng)域,提供了一種氮化硼納米片@碳化硅納米線異質(zhì)填料的制備方法。本發(fā)明通過原位生長法在氮化硼納米片上原位生長碳化硅納米線,構(gòu)筑制備“鳥巢狀”異質(zhì)結(jié)構(gòu),這種特殊形貌的異質(zhì)結(jié)構(gòu)使其在作為導(dǎo)熱填料使用時,更易在環(huán)氧樹脂基體中搭接形成高效的導(dǎo)熱通路,可以在添加少量填料的情況下提高環(huán)氧樹脂的導(dǎo)熱性能;同時導(dǎo)熱填料之間基于化學(xué)鍵合作用也有效避免更多界面熱障的引入和導(dǎo)熱填料團(tuán)聚現(xiàn)象的發(fā)生,可以進(jìn)一步提高環(huán)氧樹脂的導(dǎo)熱性能。實驗結(jié)果表明,本發(fā)明提供的方法制備的氮化硼納米片@碳化硅納米線異質(zhì)填料與環(huán)氧樹脂復(fù)合得到的導(dǎo)熱
復(fù)合材料的熱導(dǎo)率高達(dá)1.17W/mK,能夠大幅度地提高環(huán)氧樹脂的熱導(dǎo)率。
聲明:
“氮化硼納米片@碳化硅納米線異質(zhì)填料及制備方法和環(huán)氧樹脂導(dǎo)熱復(fù)合材料及制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)