本發(fā)明涉及一種新型片層陣列復(fù)合
納米材料,于
石墨烯片層上擔(dān)載有金屬納米粒子成核位點(diǎn),于所述成核位點(diǎn)上原位生長(zhǎng)有導(dǎo)電聚合物納米簇陣列,是指于墨烯片層上向遠(yuǎn)離墨烯片層方向生長(zhǎng)的導(dǎo)電聚合物納米線構(gòu)成導(dǎo)電聚合物納米簇。這種材料具有一種納米尺度片層結(jié)構(gòu),片層表面具有納米陣列的二級(jí)結(jié)構(gòu),其可用于熱導(dǎo)傳感器、藥物載體、熱敏器件、光熱治療材料等領(lǐng)域。
聲明:
“用于熱吸收傳導(dǎo)的片層陣列復(fù)合材料及其制備和應(yīng)用” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)