本發(fā)明公開(kāi)了一種表面增強(qiáng)拉曼散射探測(cè)芯片及其制備方法，利用水熱法，在硅片上原位生長(zhǎng)納米花型ZnO，通過(guò)物理的非溶劑磁控濺射法制備三維ZnO-Ag復(fù)合材料，這種復(fù)合材料既有較高的表面增強(qiáng)拉曼效應(yīng)，同時(shí)在該復(fù)合材料上修飾探針，構(gòu)建具有表面增強(qiáng)拉曼效應(yīng)的芯片，通過(guò)修飾巰基類探針?lè)肿?，可將原本拉曼活性低的炸藥分子捕獲到芯片上，通過(guò)協(xié)同共振，兩者同時(shí)產(chǎn)生表面增強(qiáng)拉曼信號(hào)，比單一的無(wú)探針修飾的基底具有對(duì)炸藥分子更好的靈敏度，同時(shí)，該芯片對(duì)多種炸藥有很好的拉曼響應(yīng)，且對(duì)炸藥TNT有單一的強(qiáng)選擇性。