本發(fā)明涉及
新材料領域旨在提供一種高導電A位高熵納米金屬氧化物及其制備方法。該金屬氧化物的分子式為Gd
0.4Er
0.3La
0.4Nd
0.5Y
0.4)(Zr
0.7,Sn
0.8,V
0.5)O
7;其外觀呈粉體狀,微觀結構顯示為邊長4~12nm、厚度1~3nm的正方形納米片。相對于現(xiàn)有的高熵氧化物,本發(fā)明的產(chǎn)品具有高導電的特點,能夠在導電合金、電接觸
復合材料、導電復合材料、多功能生物基復合材料、導電/抗靜電功能復合涂層等方面得到更好的應用。
聲明:
“高導電A位高熵納米金屬氧化物及其制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)