本申請?zhí)峁┝艘环N
電化學(xué)裝置和電子裝置,電化學(xué)裝置包括負(fù)極極片,負(fù)極極片包括
負(fù)極材料層,負(fù)極材料層包括硅碳
復(fù)合材料,硅碳復(fù)合材料包括多孔碳骨架和硅材料,硅碳復(fù)合材料的Dv50為aμm,滿足3≤a≤15,負(fù)極材料層的孔隙率為b%,電化學(xué)裝置滿足0.15≤a/b≤1。本申請?zhí)峁┑碾娀瘜W(xué)裝置具有良好的循環(huán)性能、膨脹性能和倍率性能。
聲明:
“電化學(xué)裝置和電子裝置” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)