本發(fā)明提供了一種含有貴金屬
納米材料的QLED,包括依次層疊設(shè)置的陽(yáng)極、空穴注入層、空穴傳輸層、量子點(diǎn)發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層和陰極,所述QLED中含有貴金屬納米材料,且所述貴金屬納米材料為納米貴金屬核殼結(jié)構(gòu)
復(fù)合材料,包括貴金屬核和包裹所述貴金屬核的殼層結(jié)構(gòu);所述空穴注入層、空穴傳輸層、量子點(diǎn)發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層中的至少一層摻雜有所述納米貴金屬核殼結(jié)構(gòu)復(fù)合材料;或所述納米貴金屬核殼結(jié)構(gòu)復(fù)合材料作為納米貴金屬核殼層設(shè)置在空穴注入層、空穴傳輸層、量子點(diǎn)發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層的任一相鄰兩層結(jié)構(gòu)之間。
聲明:
“含有貴金屬納米材料的QLED及其制備方法” 該技術(shù)專(zhuān)利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專(zhuān)利(論文)的發(fā)明人(作者)