本發(fā)明提供的一種低功耗高穩(wěn)定性的相變存儲單元,包括基底層、相變材料區(qū)、電極以及將所述相變材料區(qū)全部包裹的介質(zhì)材料包覆層,且所述介質(zhì)材料包覆層的材料為不與所述相變材料發(fā)生反應(yīng)的材料,相變材料區(qū)的相變材料可為純相變材料,也可為相變材料和介質(zhì)材料構(gòu)成的摻雜材料,或者為相變材料和介質(zhì)材料構(gòu)成的復(fù)合材料等。本發(fā)明還提供了制備低功耗高穩(wěn)定性的相變存儲單元的方法,所形成的相變存儲單元可以有效抑制相變材料中各元素的擴(kuò)散和揮發(fā),有利于材料性能的穩(wěn)定,同時(shí)抑制了相變材料晶粒的長大,提升了材料的電阻率,降低了器件功耗。