本發(fā)明涉及一種具有MHz高介電常數(shù)的超構(gòu)電容器材料的制備方法,屬于
電化學(xué)領(lǐng)域。上述具有MHz高介電常數(shù)的超構(gòu)電容器材料的制備方法,包括:步驟1:負(fù)介電層材料
石墨烯/聚偏氟乙烯
復(fù)合材料的制備;步驟2:在石墨烯/聚偏氟乙烯復(fù)合材料上制備環(huán)氧樹脂涂層。本發(fā)明提供的具有MHz高介電常數(shù)的超構(gòu)電容器材料的制備方法,工藝簡單,獲得具有高頻率高介電常數(shù)的超構(gòu)電容器材料在100MHz?1GHz頻段,介電常數(shù)保持100以上,介電損耗正切值低于0.15,突破了介電弛豫對(duì)電容器性能的制約。
聲明:
“具有MHz高介電常數(shù)的超構(gòu)電容器材料的制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)