本發(fā)明涉及一種銻?鈰修飾二硫化鉬/氧化銦氣敏材料及其制備方法，屬于傳感器氣敏材料制備領域。所述氣敏材料由銻元素、鈰元素、二硫化鉬、氧化銦構成，氧化銦顆粒附著在二硫化鉬片層表面構成MoS2/In2O3納米復合體，銻和鈰原子位于MoS2/In2O3納米復合體的晶格內(nèi)；所述制備所述包括（1）水熱法合成MoS2/In2O3納米復合材料；（2）在保護氣氛下，將銻源、鈰源與MoS2/In2O3納米復合材料水熱反應、離心、干燥、煅燒，即得。本發(fā)明通過銻、鈰的引入有效降低了被測氣體的化學吸附的活化能，大大提高了氧化銦半導體氣敏材料的比表面積和導電性，增強了氣體分子與材料間的電荷轉移，得到了具有優(yōu)異的氣敏材料。