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制備薄層碳負(fù)載納米二氧化硅材料原位發(fā)泡工藝

757   編輯:管理員   來源:中冶有色技術(shù)網(wǎng)  
2023-03-18 17:14:57
本發(fā)明公開了一種批量制備薄層碳負(fù)載納米SiO2復(fù)合材料的原位發(fā)泡工藝,包括如下步驟:葡萄糖、SiO2(200nm)溶于去離子水中,超聲五分鐘形成均勻溶液后逐滴加入硝酸銨溶液中并加熱攪拌得到混合溶液,放入鼓風(fēng)干燥箱中在120℃的條件下反應(yīng)7小時,得到前驅(qū)體,經(jīng)700℃熱處理后得到薄層碳負(fù)載納米SiO2復(fù)合材料。本方法屬于化工原料生產(chǎn)領(lǐng)域,該方法制備的吸波材料具有輕質(zhì)、寬頻(7.1GHz)、超強吸收(?47.7dB),低密度,可以批量制備等諸多優(yōu)點,能夠?qū)崿F(xiàn)在吸波領(lǐng)域大規(guī)模應(yīng)用。
聲明:
“制備薄層碳負(fù)載納米二氧化硅材料原位發(fā)泡工藝” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)
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