本發(fā)明實施例提供一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其制造方法。半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包含一基板以及位于基板上的晶種層,基板包含基材和
復(fù)合材料層密封(encapsulate)基材。上述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)亦包含位于晶種層上的外延層。上述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)還包含位于外延層上的半導(dǎo)體元件,以及位于外延層上且覆蓋半導(dǎo)體元件的層間介電層。上述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)更包含一貫孔結(jié)構(gòu),至少穿過基板的復(fù)合材料層且接觸基材,提升半導(dǎo)體元件的電性表現(xiàn)。
聲明:
“半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其制造方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)