本發(fā)明公開了一種存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu),其可以包括存儲(chǔ)器單元、過孔、將所述存儲(chǔ)器單元與所述過孔隔開的電介質(zhì)材料、處于所述存儲(chǔ)器單元和所述電介質(zhì)材料上的金屬陶瓷
復(fù)合材料層、以及處于所述金屬陶瓷復(fù)合材料層和所述過孔上的導(dǎo)電層。所述導(dǎo)電層可以與所述過孔的頂表面直接接觸。
聲明:
“具有降低的過孔電阻的存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)