本發(fā)明涉及一種耐電暈聚酰亞胺復合薄膜的制備方法及復合薄膜。該制備方法包括以下步驟:將羥基取代的苯硫酚鍵合到含鈦
納米材料上,得到改性含鈦納米材料,通過光還原工藝在改性含鈦納米材料上生成貴金屬納米顆粒,得到貴金屬納米顆粒修飾后的含鈦納米材料,將貴金屬納米顆粒修飾后的含鈦納米材料加入到二酐前驅體和二胺前驅體中進行原位聚合,得到聚酰亞胺前驅體
復合材料;采用流延法將聚酰亞胺前驅體復合材料制備成聚酰亞胺前驅體薄膜,再進一步使聚酰亞胺前驅體薄膜亞胺化,得到聚酰亞胺薄膜。本發(fā)明制備得到的聚酰亞胺薄膜不僅具有優(yōu)異的介電性能,而且具有優(yōu)異的耐電暈性能和力學性能。
聲明:
“耐電暈聚酰亞胺復合薄膜的制備方法及復合薄膜” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)