本發(fā)明提供一種“后半導(dǎo)體工藝”集成電路器件及MEMS器件的整體制備方法,用這些制備方法可以實(shí)現(xiàn)的結(jié)構(gòu),以及用這些結(jié)構(gòu)組合成的集成MEMS器件。根據(jù)本發(fā)明的方法,在完成半導(dǎo)體工藝的半導(dǎo)體基片上生成某些低溫工藝(這里指低于400℃的工藝)制作的膜,此膜與半導(dǎo)體基片上固有的多晶柵導(dǎo)電層共同構(gòu)成復(fù)合膜。接下來(lái),在此膜上再次生成某些低溫工藝制作的膜,來(lái)做為犧牲膜;在犧牲膜上再次生成某些低溫工藝制作的單材料或者復(fù)合材料的膜,來(lái)做為MEMS器件的另外一層結(jié)構(gòu)層;最后此器件可以用干法刻蝕、濕法腐蝕或者干法刻蝕和濕法腐蝕的組合去掉犧牲膜,釋放形成最終的MEMS器件。