本發(fā)明屬于半導(dǎo)體光電探測技術(shù)領(lǐng)域,具體涉及一種基于無鉛雙
鈣鈦礦薄膜的深紫外光探測器及制備方法。其結(jié)構(gòu)由雙面拋光的Al2O3襯底、n型寬帶隙電子傳輸層、Cs2AgBiBr6光吸收層和接觸電極構(gòu)成。本發(fā)明一方面克服了傳統(tǒng)鈣鈦礦結(jié)構(gòu)的不穩(wěn)定性和鉛毒性等不利因素,另一方面借助寬帶隙電子傳輸層和Cs2AgBiBr6光吸收層間的能帶匹配實(shí)現(xiàn)光生載流子的快速分離和傳輸,同時(shí)亦可將器件的光探測范圍從可見光擴(kuò)展到深紫外區(qū)域。該器件制備方法簡單易行、環(huán)境友好,所制備的光電探測器具有高的探測率和響應(yīng)速度,有非常重要的應(yīng)用價(jià)值。
聲明:
“基于無鉛雙鈣鈦礦薄膜的深紫外光探測器及制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)