本發(fā)明公開了數據存儲技術領域中的一種復合自由層STT-RAM存儲單元。該單元包括上電極、蓋帽層、復合自由層、絕緣氧化層、固定層、鉑錳種子層、緩沖層、下電極;其中,復合自由層采用
復合材料CoFeSiO,絕緣氧化層為Mgo,固定層包括鈷鐵硼CoFeB層、釕Ru層、鈷鐵CoFe層。本發(fā)明的復合自由層可以降低磁化翻轉的臨界電流密度、提高自由層的熱穩(wěn)定性,并且降低了制造難度。
聲明:
“復合自由層STT-RAM存儲單元” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)