本發(fā)明公開一種動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器和閃存存儲(chǔ)器的制作方法及其結(jié)構(gòu)，該閃存存儲(chǔ)器包含一基底包含一主動(dòng)區(qū)域和兩個(gè)電荷存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)分別位于主動(dòng)區(qū)域的兩側(cè)，其中各個(gè)電荷存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)內(nèi)包含一氧化硅層/氮化硅層/氧化硅層復(fù)合材料層，一埋入式柵極埋入于主動(dòng)區(qū)域，其中埋入式柵極僅包含一控制柵極和一柵極介電層，柵極介電層為單一材料，兩個(gè)源極/漏極摻雜區(qū)分別位于埋入式柵極的兩側(cè)的主動(dòng)區(qū)域內(nèi)。