本發(fā)明公開了一種分級結構SiC納米線的制備方法。包括以下步驟:SiC前驅體混合凝膠的配制;將混合凝膠干燥并研磨成粉狀;將干凝膠粉放入
石墨坩堝中,置于高溫氣氛爐內,抽真空并充氬氣作為保護氣;高溫氣氛爐升溫,然后保溫燒結;隨爐自然冷卻至室溫,即得分級結構SiC納米線。本發(fā)明工藝簡單、成本低、不產生污染環(huán)境的有害氣體,且能夠實現對產物形貌的有效控制,在半導體器件、納米
復合材料、
太陽能電池、催化劑方面具有廣泛的應用前景。
聲明:
“分級結構SiC納米線的制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)