本發(fā)明屬于功能
復(fù)合材料制備技術(shù)領(lǐng)域,涉及一種嵌段高分子-納米金屬薄層復(fù)合導(dǎo)電材料的制備方法,通過設(shè)計(jì)嵌段高分子的鏈段組成、鏈段長度和總分子量結(jié)構(gòu)參數(shù),利用嵌段高分子包含的兩鏈段的極性差異和不相容性,進(jìn)而發(fā)生相分離生成兩相納米結(jié)構(gòu)的機(jī)理,對(duì)其所包覆的納米金屬形成均勻分散形貌結(jié)構(gòu)具有誘導(dǎo)作用,進(jìn)而生成均勻的導(dǎo)電連續(xù)網(wǎng)絡(luò);將納米金屬銀與兩親性的嵌段高分子復(fù)合,納米金屬銀包埋于兩親性嵌段高分子的內(nèi)部;將金屬做成納米級(jí)的形態(tài),均勻的分散于兩親性的嵌段高分子中;其制備工藝簡單,原理安全可靠,制成的材料性能好,制備環(huán)境友好,應(yīng)用范圍廣。
聲明:
“嵌段高分子-納米金屬薄層復(fù)合導(dǎo)電材料的制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)