本發(fā)明公開了一種基于空穴傳輸層的
鈣鈦礦光電探測器及其制備方法,涉及光電探測器件技術(shù)領(lǐng)域,包括從下到上依次設(shè)置的透明襯底、導(dǎo)電陽極、電子傳輸層、鈣鈦礦光活性層、空穴傳輸層以及金屬陰極;所述鈣鈦礦空穴傳輸層為Car?4?TPA,分子結(jié)構(gòu)簡單,空穴遷移率高、電導(dǎo)率高和溶解性好,且能級較高,由所述空穴傳輸材料制備的鈣鈦礦光電探測器的反向注入少,有效地提高了鈣鈦礦光電探測器的暗態(tài)電流,同時能夠提升其光電流,從而提升了器件的探測率。與傳統(tǒng)器件所使用的Spiro?OMeTAD相比,其空穴傳輸層不需要氧化,能夠有效地減少水氧對器件的侵蝕,從而提高鈣鈦礦光電探測器件的穩(wěn)定性和壽命。
聲明:
“基于空穴傳輸層的鈣鈦礦光電探測器及其制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)