本發(fā)明公開了一種DMAPbI3
鈣鈦礦單晶材料制備方法,通過降溫控制溶液生長法獲得光學(xué)帶隙合適、光吸收系數(shù)高的大尺寸鈣鈦礦單晶材料。本發(fā)明還公開了一種離子注入改性的DMAPbI3鈣鈦礦單晶材料的制備方法,在DMAPbI3鈣鈦礦單晶材料表面進行Cu元素離子的注入,獲得離子注入改性的DMAPbI3鈣鈦礦單晶材料,增加材料本征載流子濃度。本發(fā)明還公開了一種離子注入改性的DMAPbI3鈣鈦礦單晶材料的應(yīng)用,應(yīng)用本發(fā)明的離子注入改性的DMAPbI3鈣鈦礦單晶材料制備光探測器,本發(fā)明降低鈣鈦礦單晶探測器的暗電流,從而提高其光探測率性能。
聲明:
“DMAPbI3鈣鈦礦單晶的制備方法及其離子注入探測器的應(yīng)用” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)