本發(fā)明公開了一種用于
鈣鈦礦光電探測(cè)器的光學(xué)調(diào)制層,包括下層的電介質(zhì)層和上層的光反射膜層,電介質(zhì)層選自Si、ZnO、ZnS、Si
3N
4、Al
2O
3、SiO
2和TiO
2中的一種,光反射膜層選自Au、Ag、Al、Cu、Ni、Pt、Ti、TiN和ZrN中的一種。本發(fā)明還公開了一種鈣鈦礦光電探測(cè)器,包括自下而上依次組成的襯底、底層電極、光吸收層、頂層電極和所述的光學(xué)調(diào)制層。光學(xué)調(diào)制層覆蓋在鈣鈦礦光電探測(cè)器的頂層電極上,與鈣鈦礦光電探測(cè)器整個(gè)器件耦合實(shí)現(xiàn)具有波長(zhǎng)選擇性的完美吸收,增強(qiáng)入射到鈣鈦礦光電探測(cè)器中的光能量,從而進(jìn)一步提高光響應(yīng)度。
聲明:
“用于鈣鈦礦光電探測(cè)器的光學(xué)調(diào)制層及其應(yīng)用” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)