本發(fā)明公開了碲化鉑/甲基氨鉛溴
鈣鈦礦單晶異質(zhì)結(jié)光電探測器及其制作方法,是在絕緣基底上生長有PtTe
2薄膜,在PtTe
2薄膜上的局部區(qū)域生長有MAPbBr
3鈣鈦礦單晶,PtTe
2薄膜與MAPbBr
3鈣鈦礦單晶形成異質(zhì)結(jié)。本發(fā)明的光電探測器,制備過程簡單、性能穩(wěn)定、性能好,為過渡族金屬碲化物及鈣鈦礦材料在光電探測器中的應(yīng)用開拓了新的前景。
聲明:
“碲化鉑/甲基氨鉛溴鈣鈦礦單晶異質(zhì)結(jié)光電探測器及其制作方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)