本發(fā)明涉及一種寬光譜自驅(qū)動(dòng)
鈣鈦礦光電探測(cè)器及其制備方法,其包括依次設(shè)置的導(dǎo)電基底、電子傳輸層、鉛基鈣鈦礦納米凹凸結(jié)構(gòu)、有機(jī)共軛聚合物層和電極層;有機(jī)共軛聚合物層的材質(zhì)包括PDPP3T和/或P3HT。其制備方法包括以下步驟:在導(dǎo)電基底表面形成一層氧化物層;然后將鉛基鈣鈦礦材料的前驅(qū)體溶液旋涂于氧化物層表面,并采用壓印技術(shù)形成鉛基鈣鈦礦納米凹凸結(jié)構(gòu);再在鉛基鈣鈦礦納米凹凸結(jié)構(gòu)表面依次形成有機(jī)共軛聚合物層和電極層,有機(jī)共軛聚合物層的材質(zhì)包括PDPP3T和/或P3HT。本發(fā)明的光電探測(cè)器制備方法簡(jiǎn)單,具有自驅(qū)動(dòng)性以及合適的能帶結(jié)構(gòu),有利于提高電子空穴對(duì)分離,光的吸收利用率高,有效的提高了光電探測(cè)器的性能。
聲明:
“寬光譜自驅(qū)動(dòng)無機(jī)鈣鈦礦光電探測(cè)器及其制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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