本實用新型提供一種Split Gate?IGBT結構及器件,其中,Split Gate?IGBT結構,包括Split Gate結構、Trench Gate結構;所述Split Gate結構之間設有一個或多個Trench Gate結構。本實用新型提供的Split Gate?IGBT結構,通過在Split Gate結構中間設置一個或者多個Trench Gate結構,在擁有較快開關速度的同時,還可進一步提高器件元胞密度,降低飽和壓降;同時方便通過控制Trench Gate的數(shù)量來優(yōu)化IGBT的開關性能。本實用新型另外提供的器件,可廣泛應用于工業(yè)加熱、變頻器、照明電路、
新能源汽車等領域。
聲明:
“Split Gate-IGBT結構及器件” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)