本發(fā)明涉及一種四硼酸鋰壓電晶體的制備方法特別是涉及一種大尺寸四硼酸鋰壓電晶體的制備方法。包括將先合成的四硼酸鋰多晶料壓成致密圓柱狀料塊,將料塊裝入事先已放入籽晶的PT坩堝并入爐,爐溫控制在950～1000℃,坩堝下降速率為0.1～0.6MM/H,可生長出厚度30～80MM、寬度大于120MM、長度150MM以上的優(yōu)質(zhì)大單晶,再通過側(cè)向加工即沿尺寸大的一側(cè)作為晶棒軸向,小的一側(cè)作為晶棒厚度方向加工,即可得大尺寸的四硼酸鋰壓電晶體型材。與傳統(tǒng)下降法相比,本發(fā)明克服了傳統(tǒng)下降法生長大尺寸四硼酸鋰晶體時遇到的難接種、易漏坩堝、晶體易開裂等技術(shù)瓶頸,采用側(cè)向生長和扁型坩堝設計,可提高晶體生長速率,從而降低晶體生長難度,有利于實現(xiàn)大尺寸四硼酸鋰晶體的工業(yè)化生長。