本發(fā)明涉及一種含硅
負(fù)極材料的補(bǔ)鋰方法及負(fù)極片、電池,該方法包括如下步驟:將含硅負(fù)極材料形成于集流體上,制得基片;將所述基片進(jìn)行預(yù)加熱,并將所述基片在真空條件的氛圍下采用真空濺射的方式進(jìn)行補(bǔ)鋰;其中所述預(yù)加熱的溫度高于所述氛圍的溫度且低于所述補(bǔ)鋰的靶材的熔點(diǎn)。上述含硅負(fù)極材料的補(bǔ)鋰方法,通過(guò)對(duì)補(bǔ)鋰腔室的氛圍加熱并控制溫度不會(huì)超過(guò)靶材的熔點(diǎn),避免靶材熔化導(dǎo)致靶材失效;通過(guò)對(duì)基片進(jìn)行預(yù)加熱以使靶材上的材料鍍到基片上處于微熔狀態(tài),如此可以加速靶源粒子在薄膜表面的擴(kuò)散,從而提高薄膜的均勻性和致密性。
聲明:
“含硅負(fù)極材料的補(bǔ)鋰方法及負(fù)極片、電池” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)