本發(fā)明涉及材料制備技術(shù)領(lǐng)域,特別涉及一種硅基鉭酸鋰壓電單晶薄膜襯底的制備方法,包括:獲取鉭酸鋰單晶晶圓片;在所述鉭酸鋰單晶晶圓片的表面制作熱膨脹抑制層,對(duì)所述熱膨脹抑制層和所述鉭酸鋰單晶晶圓片進(jìn)行離子注入得到第一襯底結(jié)構(gòu),在所述鉭酸鋰單晶晶圓片內(nèi)形成離子注入損傷層;本申請(qǐng)實(shí)施例所述的硅基鉭酸鋰壓電單晶薄膜襯底的制備方法,在對(duì)鉭酸鋰單晶晶圓片離子注入前先在其表面制作一層熱膨脹抑制層,熱膨脹抑制層在離子注入的過(guò)程中能夠抑制鉭酸鋰的各向異性熱膨脹形變,減小鉭酸鋰的彎曲幅度,提高離子注入的深度均勻性,并最終提高剝離的鉭酸鋰單晶薄膜的厚度均勻性。
聲明:
“硅基鉭酸鋰壓電單晶薄膜襯底的制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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