本發(fā)明公開了硅碳負(fù)極補鋰極片的制備方法,所述方法包括將鋰粉、硅粉、碳源及導(dǎo)電劑在超臨界流體的氛圍中保護分散制備成補鋰混合物,負(fù)極活性物質(zhì)、補鋰物質(zhì)及導(dǎo)電劑的配比及分散工藝;在負(fù)極集流體上涂布負(fù)極漿料,得到負(fù)極極片。本發(fā)明制備方法中,補鋰混合物在超臨界流體氛圍中,減少了團聚發(fā)生,提高了漿料的加工穩(wěn)定性,對比普通補鋰工藝制備的極片,電導(dǎo)率提高近兩倍。
聲明:
“硅碳負(fù)極補鋰極片的制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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