本實(shí)用新型公開了鈮酸鋰高頻微型電光調(diào)制器
芯片結(jié)構(gòu),所述調(diào)制器芯片結(jié)構(gòu)包括:共面行波電極、二氧化硅緩沖層、光波導(dǎo)層和鈮酸鋰晶體層;其中,所訴光波導(dǎo)層制備于所述鈮酸鋰晶體層上,所述共面行波電極位于所述鈮酸鋰晶體層的上表面,所述二氧化硅緩沖層位于所述鈮酸鋰晶體層的下表面;所述共面行波電極包括中心電極和兩偏電極,所述中心電極位于所述兩偏電極的中間位置。本實(shí)用新型的有益效果是,通過在波導(dǎo)底層加入二氧化硅絕緣層,可以減小微波損耗,提高電場作用效率,實(shí)現(xiàn)較低的半波電壓,或減小器件的尺寸;利用薄膜化芯片,減小或去除行波電極與鈮酸鋰晶片之間二氧化硅緩沖層,可有效提高電光轉(zhuǎn)換效率。
聲明:
“鈮酸鋰高頻微型電光調(diào)制器芯片結(jié)構(gòu)” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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