本發(fā)明公開了一種基于反應(yīng)離子刻蝕的鉭酸鋰微圖形化方法，屬于半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及鉭酸鋰晶體微圖形化，以解決各層材料間應(yīng)力較大使圖案易被破壞的問題，包括：在光刻膠表面依次鍍Ti金屬掩膜和Cr金屬掩膜；用剝離法在鉭酸鋰基底表面制備出金屬掩膜圖案；采用氟基等離子體對制備出金屬掩膜圖案的鉭酸鋰基底進(jìn)行反應(yīng)離子刻蝕；采用氬等離子體對鉭酸鋰基底進(jìn)行30s?2min物理轟擊，以去除在樣品表面形成的氟化鋰和氟化鉭酸鹽等高沸點(diǎn)難揮發(fā)性物質(zhì)；重復(fù)上述刻蝕步驟，直至完成鉭酸鋰基底的微圖形化。在鉭酸鋰基底上制作微米級深度的圖形，同時(shí)達(dá)到圖形的側(cè)壁傾角大，溝槽表面光滑的目的，得到較高的金屬掩膜的選擇比，刻蝕深度較深。