一種化學(xué)計量比鈮酸鋰單晶的制備方法，其特征 在于它是采用電阻加熱液相外延爐，在低于鈮酸鋰(以下簡稱 LN)熔點(1260±15℃)和居里點(1150±10℃)的結(jié)晶溫度下，將 非化學(xué)計量比LN單晶襯底從含有助溶劑K2O的LN飽和溶液中高速旋轉(zhuǎn)并緩慢提拉的過程中，在非化學(xué)計量比LN單晶襯底上生長化學(xué)計量比的LN單晶。采用本發(fā)明方法可在非化學(xué)計量比LN單晶上生長出一定厚度的化學(xué)計量比LN單晶，無需極化即為單疇晶體，具有較高的光學(xué)均勻性和質(zhì)量，可以滿足日益發(fā)展的光電技術(shù)的市場需求。