本實(shí)用新型公開了一種高純鍺探測器的高純鍺深孔鋰蒸發(fā)設(shè)備，包括設(shè)置在底板上的高純鍺單晶，在高純鍺單晶的上方設(shè)置有可以移動(dòng)的擋板，在擋板的上方設(shè)置有表面纏繞鋰絲的鎢絲電極，所述鎢絲電極的位置與高純鍺單晶內(nèi)孔位置對應(yīng)，鎢絲電極與高純鍺單晶之間通過一升降裝置使得：鎢絲電極沿高純鍺單晶內(nèi)孔上下方向進(jìn)行相對運(yùn)動(dòng)。本實(shí)用新型通過升降裝置，實(shí)現(xiàn)鎢絲電極沿高純鍺單晶內(nèi)孔方向進(jìn)行相對運(yùn)動(dòng)，與現(xiàn)有技術(shù)相比，鋰絲進(jìn)入內(nèi)孔后，蒸發(fā)在鍺單晶中孔內(nèi)表面的均勻度明顯提高。