本發(fā)明公開(kāi)了一種柵極襯底控制電路、
鋰電池及其保護(hù)
芯片的保護(hù)裝置,柵極襯底控制電路包括多個(gè)電平轉(zhuǎn)換電路、多個(gè)輸入端、第二MOS管、第三MOS管、第二電阻和第四MOS管,第二MOS管的源極和襯底連接VDD端,第二MOS管的漏極與第三MOS管的源極和襯底連接,第二電阻的一端連接第三MOS管的漏極且另一端連接第四MOS管的漏極,第二MOS管的柵極與第四MOS管的柵極連接后連接其中一個(gè)電平轉(zhuǎn)換電路的VGATE1N端。本發(fā)明通過(guò)兩個(gè)P溝道MOS管串聯(lián),來(lái)減少每個(gè)P溝道MOS管的電壓值,從而提高柵極襯底控制電路的抗尖峰電壓和耐直流電壓的能力,進(jìn)而提高鋰電池保護(hù)芯片及其保護(hù)裝置的耐壓能力。
聲明:
“柵極襯底控制電路、鋰電池及其保護(hù)芯片的保護(hù)裝置” 該技術(shù)專(zhuān)利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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