本發(fā)明提供用于大量生產(chǎn)硅納米線和/或納米帶的方法。本發(fā)明方法是采用蝕刻劑的化學(xué)蝕刻工藝，所述蝕刻劑相對于硅相優(yōu)先從多相硅合金蝕刻并去除其它相，且允許獲得殘余的硅納米線和/或納米帶。在蝕刻前，所述硅合金在所述多相硅合金的微結(jié)構(gòu)中包含或經(jīng)處理以包含一維和/或二維硅納米結(jié)構(gòu)。當(dāng)被用作二次鋰電池的陽極時，通過本發(fā)明方法生的硅納米線或納米帶展現(xiàn)高儲存容量。