本申請實施例提供了一種二氧化錫薄膜材料、
鋰電池及制備方法,所述二氧化錫薄膜材料,包括二氧化錫緩沖層,所述二氧化錫緩沖層上設有采用生長工藝生長的二氧化錫納米柱陣列,其中,所述二氧化錫緩沖層的厚度為50?150nm,所述二氧化錫納米柱陣列中二氧化錫納米柱的高度為3?5μm。由以上技術方案可見,本申請實施例采用自支撐結構的二氧化錫薄膜?二氧化錫納米柱,由于不需要粘結劑涂片,大大減低成本并顯著提高容量,而且二氧化錫納米柱在二氧化錫薄膜上生長牢固,提高了循環(huán)穩(wěn)定性。
聲明:
“二氧化錫薄膜材料、鋰電池及制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)