本發(fā)明提供一種用于鋰電保護(hù)的開關(guān)器件及其制作方法，該開關(guān)器件包括：P+型襯底及P?型外延層；N型阱區(qū)；兩個(gè)P型阱區(qū)；兩個(gè)柵極結(jié)構(gòu)；共用的N?型漂移區(qū)，形成于兩個(gè)柵極結(jié)構(gòu)之間；N型源區(qū)及P+型接觸區(qū)；介質(zhì)層，所述介質(zhì)層中打開有兩個(gè)源區(qū)接觸窗口及一體區(qū)接觸窗口，所述體區(qū)接觸窗口內(nèi)的所述P?型外延層被去除形成直至所述P+型襯底的溝槽；以及填充于所述源區(qū)接觸窗口、體區(qū)接觸窗口及所述溝槽內(nèi)的電極材料。本發(fā)明采用共用漂移區(qū)的方式構(gòu)建MOSFET器件，使得漂移區(qū)區(qū)域電阻可以大大降低，同時(shí)保證耐壓不變。將其中一個(gè)源區(qū)電極通過與體區(qū)電極的方式引到芯片背面，封裝時(shí)可與基底焊接，省掉一個(gè)打線電阻，在極低的內(nèi)阻要求下非常有效。