本實(shí)用新型提供一種用于鋰電保護(hù)的開關(guān)器件,該開關(guān)器件包括:P+型襯底及P?型外延層;N型阱區(qū);兩個(gè)P型阱區(qū);兩個(gè)柵極結(jié)構(gòu);共用的N?型漂移區(qū),形成于兩個(gè)柵極結(jié)構(gòu)之間;N型源區(qū)及P+型接觸區(qū);介質(zhì)層,所述介質(zhì)層中打開有第一接觸窗口及第二接觸窗口,所述第一區(qū)接觸窗口內(nèi)形成直至所述P+型襯底的溝槽;以及填充于所述溝槽及第二接觸窗口內(nèi)的電極材料。本實(shí)用新型采用共用漂移區(qū)的方式構(gòu)建MOSFET器件,使得漂移區(qū)區(qū)域電阻可以大大降低,同時(shí)保證耐壓不變。僅需通過一個(gè)溝槽電極便可將一個(gè)源區(qū)引到
芯片(chip)背面,封裝時(shí)可與基底焊接,降低接觸電阻,在極低的內(nèi)阻要求下非常有效,且可大大節(jié)省了工藝成本以及減小器件體積。
聲明:
“用于鋰電保護(hù)的開關(guān)器件” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)