一種制備高質(zhì)量非極性GaN自支撐襯底的方法, 利用鋁酸鋰或鎵酸鋰襯底制備高質(zhì)量非極性GaN自支撐襯底, 鋁酸鋰或鎵酸鋰襯底的清洗和處理放入反應(yīng)器中后,升溫至生 長溫度在800~950℃條件下,以 NH3和HCl為原料氣生長,直到 生長完成。本發(fā)明的特點(diǎn)是:由于鋁酸鋰(001)或鎵酸鋰和 GaN(11-20)的晶格常數(shù)基本一致,沒有很大的結(jié)構(gòu)失配,生 長得到的GaN薄膜位錯(cuò)密度較低,質(zhì)量較高。
聲明:
“制備高質(zhì)量非極性GaN自支撐襯底的方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)