本申請公開的一種基于離子注入的黑化單晶壓電復(fù)合薄膜及其制備方法,利用離子注入技術(shù),先將剝離離子注入鈮酸鋰或鉭酸鋰晶圓內(nèi),然后將還原性離子注入到鈮酸鋰或鉭酸鋰晶圓的薄膜層內(nèi),經(jīng)過鍵合、熱處理步驟后,剝離離子注入使得鍵合體在分離層斷開分離,還原性離子注入會占據(jù)薄膜層中原本更高價態(tài)離子的格點,增加鈮酸鋰或鉭酸鋰晶體中的氧空位濃度,使單晶薄膜內(nèi)的載流子濃度提升,進而提高單晶薄膜的電導(dǎo)率,降低電阻率,隨后對單晶薄膜進行退火修復(fù),能夠有效降低復(fù)合薄膜的熱釋電效應(yīng)。
聲明:
“基于離子注入的黑化單晶壓電復(fù)合薄膜及其制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)